北京艾賽斯可控硅模塊 奧聯(lián)供應(yīng)

可控硅模塊具有體積小、結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)等特點(diǎn)，是比較常用的半導(dǎo)體器件之一?？煽毓枘K有多種分類(lèi)方法： （1）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類(lèi)：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門(mén)極關(guān)斷可控硅（gto），北京艾賽斯可控硅模塊、btg可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。 （2）按引腳和極性分類(lèi)：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。 （3）按封裝形式分類(lèi)：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類(lèi)型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形，北京艾賽斯可控硅模塊、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。 （4）按電流容量分類(lèi)：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種，北京艾賽斯可控硅模塊。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。 （5）按關(guān)斷速度分類(lèi)：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。
鑒別可控硅模塊三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)p-n結(jié)的原理，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。很多客戶(hù)由于缺乏這方面的相關(guān)知識(shí)，在鑒別可控硅模塊三個(gè)極時(shí)會(huì)存在很多問(wèn)題，以下詳細(xì)介紹： 陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個(gè)p-n結(jié)，而且方向相反，因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通)。 控制極與陰極之間是一個(gè)p-n結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過(guò)，因此，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小，并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí)，萬(wàn)用表應(yīng)放在r*10或r*1擋，防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿。 若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路，或陽(yáng)極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說(shuō)明元件已損壞。
可控硅模塊和其它半導(dǎo)體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。 智能可控硅模塊在各行業(yè)的應(yīng)用廣 泛，如;電解、電鍍、調(diào)溫、調(diào)光、電焊、蓄電池充放電、直流電機(jī)調(diào)速、交流電機(jī)軟起動(dòng)、穩(wěn)壓電源裝置、勵(lì)磁等。據(jù)有關(guān)單位提供的信息來(lái)看，智能可控硅模塊主要有以下特點(diǎn)： 1、采用進(jìn)口玻璃鈍化方芯片，模塊導(dǎo)通壓降小，功耗低，節(jié)能效果顯著。 2、控制觸發(fā)電路采用進(jìn)口貼片元器件組裝，全部元器件進(jìn)行高溫老化篩選，可靠性高。 3、采用陶瓷覆銅工藝，焊接工藝獨(dú)特，絕緣強(qiáng)度高，導(dǎo)熱性能好，電流承載能力大，熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)是國(guó)標(biāo)的進(jìn)10倍。 4、控制觸發(fā)電路，主電路，導(dǎo)熱底板之間相互絕緣，介電強(qiáng)度≥2500ⅴac 導(dǎo)熱底板不帶電，安全可靠。